Медленно, но верно, продвигаясь к окончанию постройки звукового усилителя, публикую очередную статью из цикла "Самодельный усилитель и колонки для компьютера, плеера или мобильного телефона".
В статье описана конструкция блока оконечного стерео усилителя низкой частоты мощностью 2х10 Ватт и даны некоторые советы по организации охлаждения микросхем.
Выбор микросхемы для УНЧ.
Выбирая тип микросхемы для УНЧ, я просмотрел даташиты на несколько современных микросхем – усилителей мощности, но либо стоимость оказывалась внебюджетной, либо уровень искажений подозрительно высоким, либо питание однополярное.
Исходя из поговорки «Лучшее – враг хорошего», вернулся к старой проверенной линейке микросхем: TDA2030, TDA2040, TDA2050.
Микросхемы TDA2030A удалось купить на местном радиорынке\
Микросхема TDA2030A (К174УН19).
Микросхема TDA2030A представляет собой мощный операционный усилитель с низким уровнем гармонических искажений (THD Total Harmonic Distortion) менее 0,08%.
Микросхема имеет встроенную тепловую защиту, которая срабатывает при температуре кристалла 150ºС, и защиту от коротких замыканий, которая может защитить микросхему в течение 10 секунд при перегрузке.
Микросхему можно питать от двухполярного источника питания, что не создаёт дополнительных трудностей с пульсацией напряжения питания и щелчками при включении.
Советский аналог этой микросхемы К174УН19.
Предельные эксплутационные данные.
Напряжение питания – ±6… ±22 В*,
Максимальное входное напряжение – ±15 В,
Максимальные выходной ток – 3,5 А,
Максимальная температура кристалла – 150ºС,
Максимальная мощность, рассеиваемая микросхемой, при температуре корпуса ≤ 90ºС – 20 Вт.
——————————
* Предельное допустимое напряжение для К174УН19 — ±6… ±18 В
Электрическая схема включения микросхемы TDA2030.
Оконечные усилители собраны по типовой схеме. На чертеже изображён один из каналов оконечного усилителя.
C1, C8 – 100mkF
C2, C4, C7 – 0,22mkF
C3 – 1mkF
C5 – 47mkF
C6* – 15… 82pF
R1, R5 – 22k
R2 – 1Ω
R3 – 1k
R6 – 680R
R7* – 2k
FU1, FU2 – 1A
VD1, VD2 – КД208
Назначение элементов схемы.
С3 – разделительный. R5, R6, C5 – цепь отрицательной обратной связи по переменному току, которая определяет коэффициент усиления, где R5 и R6 делитель напряжения, а C5 – разделительный. Уменьшение номинала R4 увеличивает коэффициент усиления, а уменьшение наоборот.
VD1, VD2 – защищают выходной каскад от пробоя при работе на индуктивную нагрузку.
C1, C2, C7, C8 – блокировочные.
R2, C4 – цепь, предотвращающая самовозбуждение.
R7*, C6* – эта цепочка устанавливается в случае самовозбуждения (опционально).
R3 – балластный резистор, ограничивающий мощность подводимую у телефонам (наушникам).
FU1, FU2 – предохранители, защищающие блок питания от перегрузки при замыкании в цепи нагрузки или выходе микросхемы из строя.
Печатная плата.
Печатная Плата (ПП) спроектирована исходя из имеющихся радиоэлементов и корпуса.
Рациональнее было бы разместить блок питания и оконечные усилители на одной печатной плате, но сделать это не позволила конструкция корпуса, а именно то обстоятельство, что большую часть корпуса занял силовой трансформатор.
Для увеличения сечения дорожек и уменьшения расхода хлорного железа, площадь дорожек была увеличена с использованием инструмента «Полигон»
На картинке фрагмент печатной платы, выполненной из стеклотекстолита сечением 1мм.
Для повышения надёжности и ремонтопригодности, в отверстиях, предназначенных для установки плавких вставок, развальцованы медные пустотелые заклёпки (пистоны) поз.1.
Для соединения с другими блоками усилителя, в соответствующие отверстия платы заклёпаны медные штырьки поз.2.
В качестве предохранителей я использовал отрезки отдельных жил провода МГТФ (провод во фторопластовой изоляции) диаметром 0,07мм. Такие импровизированные плавкие вставки заменяют предохранители номиналом около 1-го Ампера.
При установке микросхемы TDA2030 на радиатор, нужно иметь в виду, что корпус этого чипа соединён с минусом источника питания. Если на один радиатор устанавливаются сразу две микросхемы, то нужно предусмотреть и установку изоляционных прокладок. Последние можно выполнить из любого материала обеспечивающего зазор в 0,03… 0,05мм между сопрягаемыми поверхностями. Например, можно использовать марлю, бинт или канву, пропитанную термопроводящей пастой КПТ-8.
Крепление удобно осуществлять винтами М2,5, на которые нужно предварительно надеть изоляционные шайбы и отрезки изоляционной трубки (кембрика).
На этой картинке изображен разрез соединения микросхемы с радиатором охлаждения.
1. Винт М2,5.
2. Шайба стальная М2,5.
3. Шайба изоляционная М2,5.
4. Корпус микросхемы.
5. Прокладка – отрезок трубки (кембрика).
6. Прокладка – х/б канва, пропитанная пастой КПТ-8.
7. Радиатор охлаждения.
Несколько советов по выбору радиатора охлаждения.
Расчёт радиатора пассивного охлаждения сопряжён со сложными вычислениями и измерениями. Результаты зависят от множества переменных, а значения некоторых из них радиолюбителю могут быть неизвестны.
Однако есть несколько простых правил, которые позволяют обеспечить надёжное охлаждение любых компонентов электронной аппаратуры.
1. Нужно обеспечить хороший контакт полупроводникового элемента с радиатором. Для этого желательно хорошо выровнять контактируемую поверхность радиатора и применить теплопроводную пасту КПТ-8 или любую другую. Когда нет ничего подходящего, можно использовать силиконовую смазку.
2. При использовании изоляционных прокладок между микросхемой и радиатором, использование теплопроводной пасты обязательно.
3. Лучше всего выбирать радиаторы чёрного цвета с матовой поверхностью.
4. Снижение температуры на 10ºС увеличивает ресурс микросхемы вдвое.
5. Не стоит поднимать температуру радиатора выше 60… 65ºС, а температуру корпуса микросхемы выше 80… 85ºС.
Ориентировочно, необходимую площадь радиатора можно определить при помощи калькулятора, скачав последний из «Дополнительных материалов» к этой статье. Для данного УНЧ, необходимая площадь радиатора – 310см² и более.
Испытание блока оконечного усилителя.
Это схема подключения оконечного УНЧ при тестировании. Проверять каналы УНЧ лучше по-очереди. Коммутировать питание можно установкой или удалением соответствующих предохранителей.
Нагрузкой могут служить 10-ти Ваттные резисторы типа ПЭВ сопротивлением 4Ω.
Вначале нужно подать питание на микросхему и убедиться в том, что она не греется. Если микросхема греется из-за возбуждения на ультразвуковых частотах, то нужно установить цепочку C6*, R7*.
Возбуждаться микросхема может так же, если между блокировочными ёмкостями и микросхемой слишком длинные дорожки ПП или проводники.
Затем, подав на микросхему сигнал и доведя его уровень до ограничения на выходе, нужно проследить за динамикой повышения температуры. Если температура радиатора не превышает 60… 65ºС, а температура корпуса микросхемы – 80… 85ºС, то можно считать, что тепловой режим в норме.
Если на радиаторе установлены сразу две микросхемы, то после того, как каждая из них будет проверена, нужно включить обе микросхемы и снова проверить тепловой режим при максимальной выходной мощности усилителя.
Дополнительные материалы к статье.
Скачать чертёж печатной платы в формате LAY (58КБ).
Скачать калькулятор приблизительного расчёта площади радиатора охлаждения микросхем в формате EXL (3КБ).
Портативная программа Sprint Layout 5.0 для рисования, редактирования и вывода на печать печатных плат. Интерфейс русский. (4,4МБ).
Источник: www.oldoctober.com